MOCVDシステム
SC-2000		◆研究開発・小規模生産用 ◆GaAs / Inp /GaN ◆ZnSe / ZnS / ZnO ◆SiC / SiO2 / SiGe ◆ＡｌＮ／Ａｌ2Ｏ3 ◆2”〜4”　基板処理 ◆ロードロックチャンバー ◆抵抗加熱（〜1200℃） 　　ＲＦ加熱 （〜1600℃） ◆縦型・横型基板回転機構 ◆デバイスネット対応 ◆自動成長プログラム
SC-3000
		◆２"基板１枚から９枚まで対応 ◆窒化膜の成膜に適合した内部構造：ＧａＮ，ＡｌＮなど ◆加熱温度：常温〜1400℃（基板表面） ◆横型自公転構造 ◆成膜圧力：13Pa〜66KPa　（ダイナミックレンジ） ◆立上，搬送，成長，パージ，立下　フルオート対応 ◆リアクタ内部フローチャネルを自由にアレンジ可能

メタルCVDシステム
SRCシリーズ
		◆半導体メタル　　 ◆絶縁膜　　　　　　 ◆高誘電体膜 ◆〜8”　 　　　　 ◆基板加熱 　　　　　　　　　　 ◆プロセスチャンバー 　 ステンレス電解研磨処理	Cu / TiN / Al TEOS / OX PZT / PLZT 基板１枚処理 抵抗過熱（〜1400℃） ＲＦ加熱 （〜1800℃） ◇フェイスアップ・フェイスダウン ◇プラズマ・マイクロ波導入可

液体原料供給ユニット
LMSシリーズ
		◆液体原料のダイレクト供給 　 バブリング供給 ◆ウルトラクリーンテクノロジー ◆フローパネル・タッチパネルにより制御 ◆カスタムデザイン・製作可	TEOS/Cu/SiCl4/Ta 電解研磨部品使用