MOCVDシステム



SC-2000



研究開発・小規模生産用
GaAs / Inp /GaN
ZnSe / ZnS / ZnO
SiC / SiO2 / SiGe
AlN/Al23
2”〜4” 基板処理
ロードロックチャンバー
抵抗加熱(〜1200℃)
  RF加熱 (〜1600℃)

縦型・横型基板回転機構
デバイスネット対応
自動成長プログラム




SC-3000

2"基板1枚から9枚まで対応

窒化膜の成膜に適合した内部構造:GaN,AlNなど

加熱温度:常温〜1400℃(基板表面)

横型自公転構造

成膜圧力:13Pa〜66KPa (ダイナミックレンジ)

立上,搬送,成長,パージ,立下 フルオート対応

リアクタ内部フローチャネルを自由にアレンジ可能



メタルCVDシステム


SRCシリーズ
半導体メタル  

絶縁膜      

高誘電体膜

〜8”      

基板加熱
          


プロセスチャンバー
  ステンレス電解研磨処理
Cu / TiN / Al

TEOS / OX

PZT / PLZT

基板1枚処理

抵抗過熱(〜1400℃)
RF加熱 (〜1800℃)

フェイスアップ・フェイスダウン
プラズマ・マイクロ波導入可



液体原料供給ユニット


LMSシリーズ
液体原料のダイレクト供給
  バブリング供給


ウルトラクリーンテクノロジー

フローパネル・タッチパネルにより制御

カスタムデザイン・製作可
TEOS/Cu/SiCl4/Ta


電解研磨部品使用